特許

J-GLOBAL ID：200903093310931881

半導体素子、及び半導体素子の製造方法

発明者： 古田 建一
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： グローバル・アイピー東京特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-261793
公開番号（公開出願番号）：特開2006-080249
出願日： 2004年09月09日
公開日（公表日）： 2006年03月23日
要約：

【課題】 配線工程完了後においても簡便に電気的特性を調整することができる半導体素子を提供する。【解決手段】 半導体基板上に形成される半導体素子であって、半導体基板と、半導体基板の一主面に形成される不純物拡散層と、不純物拡散層上に形成される絶縁膜と、絶縁膜上に形成され所定の熱処理により正電荷の量が変動して不純物拡散層の表面近傍の不純物濃度を制御するシリコン窒化膜と、を備えることを特徴とする半導体素子。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成される半導体素子であって、 前記半導体基板と、 前記半導体基板の一主面に形成される不純物拡散層と、 前記不純物拡散層上に形成される絶縁膜と、 前記絶縁膜上に形成され所定の熱処理により正電荷の量が変動して前記不純物拡散層の表面近傍の不純物濃度を制御するシリコン窒化膜と、 を備えることを特徴とする半導体素子。

IPC (4件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/866

FI (4件)：

H01L27/04 R ,  H01L29/78 301S ,  H01L29/78 301N ,  H01L29/90 D

Fターム (33件)：

5F038AR01 ,  5F038AR02 ,  5F038AV06 ,  5F038EZ13 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ17 ,  5F038EZ20 ,  5F140AA00 ,  5F140AA30 ,  5F140AA37 ,  5F140BA01 ,  5F140BE07 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BG28 ,  5F140BG37 ,  5F140BG50 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ05 ,  5F140BJ23 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140BK25 ,  5F140BK29 ,  5F140BK40 ,  5F140CA03 ,  5F140CB01 ,  5F140CC01 ,  5F140CC03 ,  5F140CC08 ,  5F140CC12 ,  5F140CC19 ,  5F140CE06

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-179221   出願人：株式会社日立製作所
• 電界放射型電子源およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-016388   出願人：松下電工株式会社