半導体メモリ装置の動作モード制御方法とその回路

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高月猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-312905
公開番号（公開出願番号）：特開平8-263996
出願日： 1995年11月30日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：

【要約】【課題】ユーザ使用時のテストモード誤実行を確実に防止できるような動作モード制御方法とその回路を提供する。【解決手段】ユーザモードデコーダ500及びテストモードデコーダ200によりコマンドデータCMDをデコードし、そのデコーディング信号UMS,TMSに応じて一般動作モード又はテストモードを実行する。そして、全テストモード終了後には、テストモード抑止を指定するコマンドデータCMDを入力してテストモード抑止デコーダ300でデコードし、そのデコーディング信号TMDによりデコーダ制御回路400からモード抑止信号DISTを発生させてテストモードデコーダ200の動作を恒久的に抑止する。デコーダ制御回路400は、デコーディング信号TMDに応じて切断されるヒューズを備えてあり、該ヒューズが切断されることで恒久的にモード抑止信号DISTが発生される。

請求項（抜粋）：

コマンドデータを入力し、該コマンドデータのデコーディング信号に応じて所定の動作モードを遂行する半導体メモリ装置であって、テストモード抑止を指定するコマンドデータをデコーディングし、これに応じてテストモードを抑止させるモード抑止信号を発生する抑止手段と、1以上のデコーダを備え、テストモードを指定するコマンドデータをデコーディングして該当テストモードのデコーディング信号を発生し、また前記モード抑止信号が受信されたときには動作抑止となる第1のデコーディング手段と、1以上のデコーダを備え、一般動作モードを指定するコマンドデータをデコーディングして該当一般動作モードのデコーディング信号を発生する第2のデコーディング手段と、を有し、テストモード終了後にはテストモードへの進行が防止されるようになっていることを特徴とする半導体メモリ装置。

IPC (3件)：

G11C 29/00 303 , G01R 31/28 , G06F 12/16 310

FI (4件)：

G11C 29/00 303 A , G06F 12/16 310 A , G01R 31/28 B , G01R 31/28 V

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体メモリ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-166475 出願人：三菱電機株式会社
特開平4-256145
特開平1-169800

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