特許
J-GLOBAL ID：200903093337738935
GaN系化合物半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-108673
公開番号（公開出願番号）：特開平10-303504
出願日： 1997年04月25日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：
【要約】【課題】 p型の導電型を有するGaN系半導体に対する低抵抗オーミック電極を提供し、該半導体系を用いた各種デバイスの動作電圧の低減を図る。【解決手段】 p型GaNに対する電極として、電極表面からPt層、PtGa化合物層、p型GaNにより構成される電極構造を形成する。Pt-GaN界面でのエネルギー障壁を緩和する中間層として、特性・安定性に優れたPtGa化合物が電極構造の中に含まれていることをその特徴とする。
請求項（抜粋）：
p型不純物を含むGaN系化合物半導体層に対するp型電極を備え、該p型電極は、前記p型不純物を含むGaN系化合物半導体層上から順に、実質的に窒素を含まない、電極金属とガリウムの化合物からなる第1層、及び単独の前記電極金属からなる第2層、を含む多層構造体により形成されてなることを特徴とするGaN系化合物半導体装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01S 3/18
, H01L 33/00 E
, H01L 33/00 C
