特許
J-GLOBAL ID：200903093350161566

固体撮像素子及びカメラ装置

発明者：
馬渕 圭司

馬渕 圭司 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 野田 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-302910
公開番号（公開出願番号）：特開2004-140152
出願日： 2002年10月17日
公開日（公表日）： 2004年05月13日
要約：
【課題】CMOSプロセスを用いて撮像画素部の各画素回路を形成する場合に、FDの遮光を有効に行い、不正な光の漏れ込みを防止して画質を向上する。【解決手段】CMOSプロセスで形成される各トランジスタのゲート配線層(電極膜)を2層化し、PD219の周辺の画素Trでは、転送Tr211とリセットTr214のゲート電極を下層のゲート電極膜を用いて形成し、上層のゲート電極膜をFD216の遮光膜に利用する。また、この遮光膜を延長して増幅Tr212のゲート電極として用い、FD216の電位変動を増幅Tr212のゲートに伝える。遮光膜として用いる上層のゲート配線層の材料には、高融点金属シリサイド、例えばタングステンシリサイドやコバルトシリサイドなどの遮光性の高い材質を用いる。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
複数の画素を設けた撮像領域部と、前記撮像領域部から出力される画像信号の処理を行う処理回路部とを有する固体撮像素子において、 前記画素は、受光量に応じた信号電荷を生成する光電変換素子と、前記光電変換素子によって生成された信号電荷量を検出するフローティングディフュージョン部と、前記光電変換素子によって生成された信号電荷を前記フローティングディフュージョン部に転送する転送トランジスタと、前記フローティングディフュージョン部の電位に対応した電気信号を出力する増幅トランジスタと、前記フローティングディフュージョン部の信号電荷をリセットするリセットトランジスタとを有し、 前記撮像領域部及び処理回路部に含まれるトランジスタのゲート電極膜を複数層構造とし、前記転送トランジスタ及びリセットトランジスタのゲート電極を前記複数層構造のゲート電極の下層側のゲート電極膜を用いて形成し、 前記フローティングディフュージョン部の上面を前記複数層構造のゲート電極膜の上層側のゲート電極膜を用いて形成した遮光膜によって遮光した、 ことを特徴とする固体撮像素子。
IPC (3件)：
H01L27/146 ,  H01L27/14 ,  H04N5/335
FI (3件)：
H01L27/14 A ,  H04N5/335 E ,  H01L27/14 D
Fターム (16件)：
4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118CB14 ,  4M118DD04 ,  4M118DD12 ,  4M118FA06 ,  4M118FA33 ,  4M118GB15 ,  4M118GD04 ,  5C024CX04 ,  5C024CX13 ,  5C024CX17 ,  5C024GY31 ,  5C024GZ36
引用特許：
審査官引用 (6件)
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