特許
J-GLOBAL ID：200903093363922833

電子放出素子、電子源、画像形成装置及びそれらの製造方法

発明者：
岩城 孝志

岩城 孝志 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (1件)： 渡辺 敬介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-042445
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243226
出願日： 1999年02月22日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：
【要約】【課題】 低電圧駆動でき、効率が良く長寿命な電子放出素子の新規な構成、電子源、均一で画質の良い画像形成装置、及びこれらの製造方法を提供する。【解決手段】 電子放出素子の製造方法が、基板1上に素子電極2,3を形成する工程と、素子電極2,3間に跨る導電性膜4を形成する工程と、素子電極2,3間に通電し、導電性膜4に電子放出部5を形成するフォーミング工程と、導電性膜4上にポリイミド膜6を形成する工程と、素子電極2,3間に通電し、ポリイミド膜6に炭化部位7を形成する工程とを有し、ポリイミド膜6を形成工程において、全芳香族系ポリアミドの前駆体溶液をインクジェット法により異なる駆動条件で2回以上重ね打ちし、ポリイミド膜6の周辺部と中心部との膜厚比を2/1から1/2(周辺部膜厚/中心部膜厚)にする。
請求項（抜粋）：
基板上に一対の素子電極を形成する工程と、素子電極間に跨る導電性膜を形成する工程と、素子電極間に通電し、導電性膜に電子放出部を形成するフォーミング工程と、導電性膜上にポリイミド膜を形成する工程と、素子電極間に通電し、ポリイミド膜に炭化部位を形成する工程とを有しており、上記ポリイミド膜を形成する工程において、全芳香族系ポリアミドの前駆体溶液をインクジェット法により異なる駆動条件で2回以上重ね打ちすることにより、ポリイミド膜の周辺部と中心部との膜厚比を2/1から1/2(周辺部膜厚/中心部膜厚)にすることを特徴とする電子放出素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01J 1/316 ,  H01J 9/02 ,  H01J 31/12
FI (3件)：
H01J 1/30 E ,  H01J 9/02 E ,  H01J 31/12 C
Fターム (10件)：
5C036EE01 ,  5C036EE02 ,  5C036EE14 ,  5C036EF01 ,  5C036EF06 ,  5C036EF09 ,  5C036EG12 ,  5C036EH08 ,  5C036EH11 ,  5C036EH26
引用特許：
出願人引用 (3件)

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