特許

J-GLOBAL ID：200903093400546162

液晶表示装置

発明者： 神野 優志 ,  山田 努 ,  平井 恭子
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-177615
公開番号（公開出願番号）：特開平9-026600
出願日： 1995年07月13日
公開日（公表日）： 1997年01月28日
要約：

【要約】【目的】 p-SiTFTを用いた駆動回路一体型液晶表示装置において、ゲート配線抵抗を上げることなく、ゲート電極の応力を低減してリーク電流を抑制する。【構成】 ゲートライン(13L)をポリシリコン(13p)とシリサイド(13s)の積層体により形成し、ゲート電極(13G)をポリシリコン(13p)の単層とする。ポリサイドゲートの配線抵抗を上げることなく、ゲート電極(13G)部の応力が低減され、チャンネル領域に生じる格子欠陥が減少しトラップによるリーク電流が抑えられる。

請求項（抜粋）：

基板上に島状に形成され不純物を含有しないチャンネル領域と該チャンネル領域の両側に不純物を含有したソース及びドレイン領域とを含む多結晶半導体島層と、該多結晶半導体島層を覆うゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記ソース領域に接続するソース電極と、前記ドレイン領域に接続するドレイン電極とからなる薄膜トランジスタが複数設けられた液晶表示装置において、前記ゲート電極に電圧を印加するゲートラインは、多結晶シリコン層及びシリコンと金属の化合物合金層との積層構造により形成され、前記ゲート電極は、前記ゲートラインと一体の多結晶シリコン層により形成されていることを特徴とする液晶表示装置。

IPC (3件)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1343 ,  H01L 29/786

FI (4件)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1343 ,  H01L 29/78 612 B ,  H01L 29/78 617 L

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 種晶乳剤の調製方法、ハロゲン化銀乳剤、及び写真感光材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-059286   出願人：富士写真フイルム株式会社
• アクティブマトリックス基板とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-035235   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 薄膜半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-036164   出願人：ソニー株式会社