薄膜多層回路基板及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：柏谷昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-079811
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274731
出願日： 1998年03月26日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：

【要約】【課題】薄膜多層回路基板及びその製造方法に関し、多層化工程を簡略化し、また、ビアホールの占有空間を減少させて高密度化し、且つ、薬品類の使用を低減する。【解決手段】ラミネートフィルム6を多層化した多層配線層部1と、コア基板2とを一体化する。

請求項（抜粋）：

ラミネートフィルムを多層化した多層配線層部と、コア基板とを一体化したことを特徴とする薄膜多層回路基板。

IPC (2件)：

H05K 3/46 , H05K 3/00

FI (5件)：

H05K 3/46 N , H05K 3/46 B , H05K 3/46 E , H05K 3/46 X , H05K 3/00 N

引用特許：

審査官引用 (9件)

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