特許

J-GLOBAL ID：200903093415103437

シリカ系多孔質膜およびその製造方法

発明者： 山田 紀子 ,  高橋 徹 ,  佐近 正 ,  松崎 洋市 ,  野上 敦嗣
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 石田 敬 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-368016
公開番号（公開出願番号）：特開2000-077399
出願日： 1998年12月24日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
要約：

【要約】【課題】 半導体素子用層間絶縁膜などに適用可能な低誘電率のシリカ系多孔質膜およびその製造方法を提供すること。【解決手段】 シロキサン骨格を含む三次元網目構造が、SiO4四面体の架橋酸素の少なくとも1個以上を有機基で置換した四面体を表面および骨格内部に含み、かつ、その四面体を含む骨格で周囲を直接囲まれた平均径10nm以下の微細な空隙を有するシリカ系多孔質膜によって解決される。

請求項（抜粋）：

シロキサン骨格を含む三次元網目構造が、SiO4四面体の架橋酸素の少なくとも1個以上を有機基で置換した四面体を表面および骨格内部に含み、かつ、その四面体を含む骨格で周囲を直接囲まれた平均径10nm以下の微細な空隙を有することを特徴とするシリカ系多孔質膜。

IPC (5件)：

H01L 21/316 ,  C08L 83/04 ,  C09D 5/25 ,  C09D183/04 ,  C09J183/04

FI (5件)：

H01L 21/316 H ,  C08L 83/04 ,  C09D 5/25 ,  C09D183/04 ,  C09J183/04

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 酸化膜材料、珪素酸化膜の形成方法および半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-286533   出願人：株式会社東芝
• シリカ系被膜形成用塗布液、シリカ系被膜及びそれを用いた半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-167346   出願人：日立化成工業株式会社