特許

J-GLOBAL ID：200903093432433017

光センサ素子

発明者： 渡辺 修 ,  土森 正昭 ,  伊藤 博 ,  市川 正
出願人/特許権者： 株式会社豊田中央研究所
代理人 (1件)： 布施 行夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-050152
公開番号（公開出願番号）：特開平11-231002
出願日： 1998年02月16日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：

【要約】【課題】 光変調機能とをもつ光センサ素子を提供する。【解決手段】 入射光を測定電圧に応じて変調出力する光センサ素子である。この光センサ素子は、前記入射光を導波するコア部2を含む導波層24と、前記導波層24を保持する基板20と、前記導波層24の両面側に、前記コア部に前記測定電圧を印可するように対向配置された一対の電極4u,4dとを含む。前記コア部24は、電磁界により屈折率が変化し、その変化が光学的非線形性を示す高分子材料で形成される。

請求項（抜粋）：

入射光を導波するコア部と、前記コア部の周囲を覆うクラッド部とを含み高分子材料を用いて薄膜層として形成された導波構造部と、前記薄膜層の両面に対向配置された電極と、を含み、前記クラッド部の前記コア部と接する領域の全部若しくは一部及び前記コア部の少なくとも一方は、電磁界により屈折率が変化し、その変化が光学的非線形性を示す高分子材料を含む材料で形成されたことを特徴とする光センサ素子。

IPC (5件)：

G01R 29/08 ,  G01R 15/24 ,  G02B 6/12 ,  G02F 1/01 ,  G02F 1/35 504

FI (5件)：

G01R 29/08 F ,  G02F 1/01 C ,  G02F 1/35 504 ,  G01R 15/07 C ,  G02B 6/12 H

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 電界センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-154467   出願人：日本電信電話株式会社
• 光強度変調器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-090963   出願人：株式会社ニコン
• 光導波路を用いた光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-256263   出願人：キヤノン株式会社