特許
J-GLOBAL ID：200903093464047640
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-313396
公開番号（公開出願番号）：特開平8-172039
出願日： 1994年12月16日
公開日（公表日）： 1996年07月02日
要約：
【要約】【目的】 下地層がシリコン窒化膜である場合に、化学増幅型レジストの酸の失活現象を防止して、良好なレジスト形状を得ると共に、レジストパターンの安定性を向上した半導体装置の製造方法を得ることを目的とする。【構成】 シリコン窒化膜3を800〜1200°Cの酸素雰囲気に曝してシリコン窒化膜3の上に、厚さ40〜50オングストローム(4〜5nm)程度の熱酸化膜4を形成した後、レジスト層5を形成する。【効果】 レジスト層の断面形状がテールを有したり、あるいはアンダーカットを有してシリコン窒化膜の寸法および形状が安定しなくなるという問題が解消されると共に、レジスト層とシリコン窒化膜との密着性が劣化して、レジスト層が剥離することによりレジストパターンが安定しなくなるという問題が解消される。
請求項（抜粋）：
酸を触媒として反応が促進する化学増幅型レジストを用いてパターニングを行う半導体装置の製造方法であって、(a) 少なくともシリコンを構成要素として含む熱酸化可能な下地層を形成する工程と、(b) 前記下地層を熱酸化して、その表面に熱酸化膜を形成する工程と、(c) 前記熱酸化膜の上に化学増幅型レジストを塗布した後、露光することにより所定のパターンを有するレジスト層を形成する工程とを備えた半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, G03F 7/11 503
H01L 21/30 563
, H01L 21/30 574
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (1件)
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