特許
J-GLOBAL ID：200903093484482776
垂直空洞面発光レーザのための電流封じ込め
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹 (外5名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-504222
公開番号（公開出願番号）：特表2000-514244
出願日： 1997年06月23日
公開日（公表日）： 2000年10月24日
要約：
【要約】平面構造を有し、利得領域に電流封じ込めを設けるために、基板に最寄りのミラー頂部、または基板からもっとも遠いミラーの底部に注入または拡散を有し、注入または拡散の後に形成される、アクティブ領域および別のミラーを有する垂直空洞面発光レーザ。この構造は、利得領域に損傷を与えず、または有害な影響を与える、精確に確認された電流封じ込めの寸法を設ける注入または拡散を有する。代替として、電流封じ込めのための注入または拡散は、頂部ミラー、およびアクティブ領域の上の数層内に配置される可能性があり、その場合も依然として利得領域への損傷を最小限にし、十分に確認された電流封じ込め寸法を有する。
請求項（抜粋）：
電流封じ込めを有する垂直空洞面発光レーザであって、 第1形のドーパントを有し、かつ第1および第2表面を有する基板、 第1形のドーパントを有し、基板の第1表面上に形成される第1接触層と、 第1形のドーパントを有し、基板の第2表面上に形成される第1ミラーと、 第2の形のドーパントを有し、第1ミラーの周辺部に0.1〜60ミクロンの内部寸法と0.1〜2ミクロンの厚さで形成される第1の注入または拡散と、 前記第1の注入または拡散を有する第1ミラーの表面に形成されるアクティブ領域と、 第2の形のドーパントを有し、アクティブ領域上に形成される第2ミラーと、 第2の形のドーパントを有し、前記第2ミラー上に形成される第2接触層とを備える垂直空洞面発光レーザ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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