特許
J-GLOBAL ID：200903093501963740
IGs合成に関与する遺伝子、および、IGsを高レベルに蓄積する変異植物
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
原 謙三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-310232
公開番号（公開出願番号）：特開2006-115813
出願日： 2004年10月25日
公開日（公表日）： 2006年05月11日
要約：
【課題】 高発現させることによってIGsの蓄積量をより向上させることのできる新規遺伝子とその利用方法を提供する。【解決手段】 シロイヌナズナのT-DNA挿入によるアクティベーションタギングライブラリから、5-メチルトリプトファン(5MT)抵抗性を有する変異体rmt-1を選抜した。そして、この変異体rmt-1において、T-DNA挿入部位に隣接して存在し、高発現している遺伝子をIGs合成に関与する新規遺伝子として単離した。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
トリプトファンの二次代謝産物であるインドールグルコシノレート類の合成に関与するポリヌクレオチドであって、
下記の(a)または(b)のいずれかであることを特徴とするポリヌクレオチド:
(a)配列番号1に示される塩基配列からなるポリヌクレオチド;または
(b)以下の(i)もしくは(ii)のいずれかとストリンジェントな条件下でハイブリダイズするポリヌクレオチド:
(i)配列番号1に示される塩基配列からなるポリヌクレオチド;もしくは
(ii)配列番号1に示される塩基配列と相補的な塩基配列からなるポリヌクレオチド。
IPC (6件)：
C12N 15/09
, A01H 5/00
, C12N 9/00
, C12P 19/64
, C12Q 1/02
, C12N 5/10
C12N15/00 A
, A01H5/00 A
, C12N9/00
, C12P19/64
, C12Q1/02
, C12N5/00 C
2B030AA02
, 2B030AB03
, 2B030AD05
, 2B030AD08
, 2B030CA06
, 2B030CA16
, 2B030CB02
, 4B024AA03
, 4B024AA08
, 4B024BA07
, 4B024CA02
, 4B024CA04
, 4B024DA01
, 4B024EA04
, 4B024FA10
, 4B024GA11
, 4B024HA11
, 4B050CC04
, 4B050CC08
, 4B050DD13
, 4B050LL05
, 4B050LL10
, 4B063QA18
, 4B063QQ02
, 4B063QQ13
, 4B063QR60
, 4B063QR69
, 4B063QR78
, 4B063QS24
, 4B063QS36
, 4B063QX01
, 4B064AF56
, 4B064CA11
, 4B064CA19
, 4B064CC24
, 4B064DA01
, 4B065AA89X
, 4B065AA89Y
, 4B065AB01
, 4B065AC14
, 4B065AC20
, 4B065BA01
, 4B065CA20
, 4B065CA27
, 4B065CA44
, 4B065CA53
