特許

J-GLOBAL ID：200903093514364811

半導体装置

発明者： 友松 佳史
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (2件)： 高田 守 ,  高橋 英樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-194281
公開番号（公開出願番号）：特開2008-021918
出願日： 2006年07月14日
公開日（公表日）： 2008年01月31日
要約：

【課題】破壊耐量を向上させることができる半導体装置を得る。【解決手段】第1導電型のコレクタ層と、コレクタ層上に形成された第2導電型の半導体層と、半導体層の表面に形成された第1導電型のベース領域と、ベース領域の表面の一部に形成された第2導電型のエミッタ領域と、エミッタ領域の表面から半導体層に到達するまで掘り下げられた第1のトレンチと、第1のトレンチ内に第1の絶縁膜を介して埋め込まれた第1のゲート電極と、エミッタ領域以外のベース領域の表面から半導体層に到達するまで掘り下げられた第2のトレンチと、第2のトレンチ内に第2の絶縁膜を介して埋め込まれた第2のゲート電極と、ベース領域とエミッタ領域に接続されたエミッタ電極と、コレクタ層に接続されたコレクタ電極とを有し、第2のトレンチは第1のトレンチよりも深い。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1導電型のコレクタ層と、 前記コレクタ層上に形成された第2導電型の半導体層と、 前記半導体層の表面に形成された第1導電型のベース領域と、 前記ベース領域の表面の一部に形成された第2導電型のエミッタ領域と、 前記エミッタ領域の表面から前記半導体層に到達するまで掘り下げられた第1のトレンチと、 前記第1のトレンチ内に第1の絶縁膜を介して埋め込まれた第1のゲート電極と、 前記エミッタ領域以外の前記ベース領域の表面から前記半導体層に到達するまで掘り下げられた第2のトレンチと、 前記第2のトレンチ内に第2の絶縁膜を介して埋め込まれた第2のゲート電極と、 前記ベース領域と前記エミッタ領域に接続されたエミッタ電極と、 前記コレクタ層に接続されたコレクタ電極とを有し、 前記第2のトレンチは前記第1のトレンチよりも深いことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/739 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L29/78 655A ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 655B

引用特許：

出願人引用 (1件)

• トレンチゲート半導体装置
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2001-584496   出願人：コーニンクレッカフィリップスエレクトロニクスエヌヴィ

審査官引用 (4件)

• トレンチゲート型半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-278187   出願人：トヨタ自動車株式会社, 株式会社デンソー
• 特許第6710403号
  
• 絶縁ゲート型半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-136794   出願人：株式会社東芝
• 特許第6710403号