トレンチゲート型半導体装置およびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (3件)：岡戸昭佳 , 富澤孝 , 山中郁生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-278187
公開番号（公開出願番号）：特開2006-093459
出願日： 2004年09月24日
公開日（公表日）： 2006年04月06日
要約：

【課題】高精度な電流センス機能を備えるとともに高耐圧化が図られたトレンチゲート型半導体装置およびその製造方法を提供すること。【解決手段】半導体装置100は,メインセル1とセンスセル2とを備え,メインセル1とセンスセル2とが分離エリア3によって分離されている。半導体装置100のメインセル1およびセンスセル2は,N- ドリフト領域12とP- ボディ領域41とのPN接合に加え,Pフローティング領域51,52によって耐圧を支える機構になっている。そして,半導体装置100の分離エリア3にもメインセル1およびセンスセル2と同等の耐圧保持機構が設けられている。具体的には,Pフローティング領域53およびその底部がPフローティング領域53に達するとともにゲート電極84を内蔵するゲートトレンチ81を設けている。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

メインセル領域と,センスセル領域と,前記メインセル領域と前記センスセル領域とを隔離する分離領域とを備え,トレンチゲート構造を有するトレンチゲート型半導体装置において, 半導体基板の主表面側に位置し,第1導電型半導体であるドリフト領域と, 前記ドリフト領域の上面側に位置し,第2導電型半導体であるボディ領域と, 前記ドリフト領域に囲まれるとともに前記メインセル領域内に位置し,第2導電型半導体である第1フローティング領域と, 前記ドリフト領域に囲まれるとともに前記センスセル領域内に位置し,第2導電型半導体である第2フローティング領域と, 前記ドリフト領域に囲まれるとともに前記分離領域内に位置し,第2導電型半導体である第3フローティング領域とを有することを特徴とするトレンチゲート型半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 , H01L 27/04 , H01L 21/336

FI (5件)：

H01L29/78 657F , H01L29/78 652H , H01L29/78 653A , H01L29/78 658G , H01L29/78 658A

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-126528 出願人：株式会社日立製作所, 日立東部セミコンダクタ株式会社

審査官引用 (5件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-167282 出願人：株式会社東芝
特許第6194741号
特表平5-506335

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