特許
J-GLOBAL ID:200903093559056700
基板電圧発生回路
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
高月 猛
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-107270
公開番号(公開出願番号):特開平8-315574
出願日: 1996年04月26日
公開日(公表日): 1996年11月29日
要約:
【要約】【課題】 待機状態で基板電圧の制御動作を中止でき、また動作モードに応じて基板電圧のレベルを変更できるような基板電圧発生回路を提供する。【解決手段】 基板電圧検出器、発振器、チャージポンプ回路からなる基板電圧発生回路の基板電圧検出器について、動作電源を供給するPMOSトランジスタ41を待機状態を示す信号に従ってON/OFFするようにし、また出力ノードN1に、待機状態を示す信号に従ってON/OFFするNMOSトランジスタ42を設ける。更に、基板電圧VBBの感知レベルを決定するPMOSトランジスタ51〜5n,61〜6nのうちのトランジスタ61〜6nに対し並列に、モード信号PISRASによりON/OFFするNMOSトランジスタ81を設ける。従って、ノーマルモードとリフレッシュモードでVBBを検出するトランジスタ数が異なるので、その設定レベルを変えることができる。
請求項(抜粋):
基板電圧のレベルを検出した結果の感知信号に従って基板電圧を発生する半導体メモリ装置用の基板電圧発生回路において、第1電源と第2電源との間に設けられて基板電圧による制御を受け、基板電圧が第1レベルより高くなる場合に第1感知信号を発生する手段と、前記第1電源と第2電源との間に設けられ、基板電圧による制御を受けると共に特定モード信号による制御を受け、前記特定モード信号が活性化されたときにおいて基板電圧が第2レベルより高くなる場合に第2感知信号を発生する手段と、を有して基板電圧のレベルを検出する基板電圧検出器を備えたことを特徴とする基板電圧発生回路。
IPC (4件):
G11C 11/407
, H01L 27/04
, H01L 21/822
, H03K 19/00
FI (3件):
G11C 11/34 354 F
, H03K 19/00 A
, H01L 27/04 G
引用特許:
審査官引用 (7件)
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基準電位発生回路とそれを用いた半導体集積回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-118221
出願人:松下電器産業株式会社
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DRAMの基板電圧発生装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-252900
出願人:三洋電機株式会社
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特開平2-062071
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特開平4-053260
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半導体メモリ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-080164
出願人:日本電気株式会社
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特開平2-137254
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特開平4-307763
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