特許

J-GLOBAL ID：200903093565497913

電界効果トランジスタ

発明者： 池田 征明 ,  桑原 博一 ,  安達 千波矢
出願人/特許権者： 日本化薬株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-091125
公開番号（公開出願番号）：特開2007-266411
出願日： 2006年03月29日
公開日（公表日）： 2007年10月11日
要約：

【課題】特定の有機化合物を半導体材料として用いることにより、実用的なキャリア移動度を有し、さらに化合物の置換基を選択する事によりp型、n型及びアンバイポーラー型の電気特性を有する電界効果トランジスタを提供する事。【解決手段】下記式(1)で表されるベンゾジフラノン系化合物を半導体材料として用いた電界効果トランジスタ。【化1】(式(1)中、X1、X2、X3及びX4はそれぞれ独立に酸素原子、硫黄原子又はセレン原子を、R1及びR2は置換されていても良い芳香族基を、R3及びR4は置換基をそれぞれ表す。)

請求項（抜粋）：

下記式(1)で表される化合物を半導体材料として用いた電界効果トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 51/30 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/40 ,  H01L 29/786

FI (4件)：

H01L29/28 250H ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 310J ,  H01L29/78 618B

Fターム (66件)：

5F110AA01 ,  5F110AA28 ,  5F110BB01 ,  5F110BB04 ,  5F110BB05 ,  5F110BB09 ,  5F110BB20 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110CC10 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD25 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF23 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG29 ,  5F110GG32 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG52 ,  5F110GG54 ,  5F110GG55 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HK35 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 有機半導体装置及び液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-264964   出願人：株式会社日立製作所
• 電界効果型トランジスタおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-203670   出願人：日本電気株式会社
• フルオロトラン誘導体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-192065   出願人：大日本インキ化学工業株式会社

審査官引用 (1件)

• 液晶組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-149706   出願人：住友化学工業株式会社