半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-019003
公開番号（公開出願番号）：特開平10-223768
出願日： 1997年01月31日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：

【要約】【課題】しきい値の異なる複数のFETで、すべてに良好な電気特性が得られ、かつ良好なしきい値の制御性を得られるようにする。【解決手段】 GaAsで形成された基板1の上に、窒化シリコン膜2を、CVD法によって50nm堆積し(ステップS1)、窓3a,3bを有するレジスト膜3で基板1を被覆する(ステップS2)。この状態から、チャネル不純物であるSiをイオン注入して、各チャネル形成領域4,5にそれぞれN型のチャネル層41,51を形成する。さらに、Mgをイオン注入して、各チャネル形成領域4,5の下にそれぞれ埋め込み層42,52を形成する。そして、ステップS3に示すように、レジスト膜3を除去し、新たに窓6aを有するレジスト膜6を被覆し、基板1にMgをイオン注入し、EFETの埋め込み層52に、埋め込み層42,52よりもMg濃度の高い埋め込み領域53を形成する。

請求項（抜粋）：

異なるしきい値を持つ複数のFET(電界効果トランジスタ)を同一の基板上に形成する半導体装置の製造方法において、前記各FETの活性領域に第1の導電型の不純物を注入することによりチャネル層を同時に形成し、前記各チャネル層の下に第2の導電型の不純物を注入して埋め込み層を同時に形成し、特定のFETの前記活性領域のキャリア濃度分布を与えたいしきい値に応じて変化させる、ことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/8234 , H01L 27/088 , H01L 27/095

FI (2件)：

H01L 27/08 102 B , H01L 29/80 E

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平4-045544
集積回路を製造する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-083041 出願人：モステック・コーポレイション
エッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-011908 出願人：沖電気工業株式会社

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