特許
J-GLOBAL ID：200903093567587855
半導体素子の2段突起形状バンプおよびその形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-095774
公開番号（公開出願番号）：特開平9-283526
出願日： 1996年04月18日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：
【要約】【課題】 形状にばらつきが無い良好な2段突起形状バンプを形成できる半導体素子のバンプ形成方法を提供することを目的とする。【解決手段】 金属ワイヤの先端を溶融して金属ボールを形成し、この金属ボールを半導体素子の電極に接合し、金属ワイヤを電極に接合した金属ボールの上に接合し、金属ワイヤを引き千切って形成される2段突起形状バンプであって、選択図は金属ワイヤを引き千切る直前の状態を示している。金属ボール2と金属ワイヤ1との接合が終わる境目Dの以内に、金属ワイヤの先端を溶融して金属ボールを形成する際に熱影響を受けて結晶粒が粗大化した金属ボールの直上の金属ワイヤ部分Bが位置する。金属ボールを形成する工程で溶融加工のパラメータを制御して形成する。
請求項（抜粋）：
キャピラリーに通した金属ワイヤの先端を溶融して金属ボールを形成し、この金属ボールを半導体素子の電極に接合し、前記キャピラリーを横にずらして下降させ、前記金属ワイヤを電極に接合した前記金属ボールの上に接合し、前記金属ワイヤを引き千切って前記の電極の上に形成される2段突起形状バンプであって、前記金属ボールと前記金属ワイヤとの接合が終わる境目の以内に、金属ワイヤの先端を溶融して前記金属ボールを形成する際に熱影響を受けて結晶粒が粗大化した前記金属ボールの直上の金属ワイヤ部分が位置する半導体素子の2段突起形状バンプ。
FI (3件)：
H01L 21/92 602 G
, H01L 21/92 604 J
, H01L 21/92 604 K
