特許
J-GLOBAL ID：200903093576286825

光半導体素子及びその製造方法

発明者：
羽鳥 伸明

羽鳥 伸明 について

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山本 剛之

山本 剛之 について

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荒川 泰彦

荒川 泰彦 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について

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国立大学法人 東京大学

国立大学法人 東京大学 について


代理人 (2件)： 高橋 敬四郎 ,  来山 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-336800
公開番号（公開出願番号）：特開2008-153260
出願日： 2006年12月14日
公開日（公表日）： 2008年07月03日
要約：
【課題】 再現性よく目標位置に端面を形成することができ、かつ光ファイバとの結合効率の低下を抑制することができる光半導体素子を提供する。【解決手段】 相互に反対方向を向く一対の端面(15A,15B)を有する半導体基板の上に、活性層(18)が形成されている。活性層の上に、活性層の屈折率よりも小さな屈折率を持つ上側クラッド層(19)が形成されている。半導体基板の一方の端面から他方の端面まで延在し、両端に端部領域(22B)が画定され、内部に分布帰還領域(22A)が画定された導波路領域(22)の、該分布帰還領域の両側の上側クラッド層内に、回折格子(25)が配置されている。導波路領域の端部領域の各々の両側の上側クラッド層内に、上側クラッド層の屈折率よりも低い屈折率を持つ低屈折率領域(26)が配置されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
相互に反対方向を向く一対の端面を有する半導体基板と、 前記半導体基板の上に形成された活性層と、 前記活性層の上に形成され、該活性層の屈折率よりも小さな屈折率を持つ上側クラッド層と、 前記半導体基板の一方の端面から他方の端面まで延在し、両端に端部領域が画定され、内部に分布帰還領域が画定された導波路領域の、該分布帰還領域の両側の前記上側クラッド層内に配置された回折格子と、 前記導波路領域の端部領域の各々の両側の前記上側クラッド層内に配置され、前記上側クラッド層の屈折率よりも低い屈折率を持つ低屈折率領域と を有する光半導体素子。
IPC (2件)：
H01S 5/12 ,  H01S 5/223
FI (2件)：
H01S5/12 ,  H01S5/223
Fターム (20件)：
5F173AA05 ,  5F173AA26 ,  5F173AA44 ,  5F173AA47 ,  5F173AB13 ,  5F173AB25 ,  5F173AB30 ,  5F173AB62 ,  5F173AB65 ,  5F173AF09 ,  5F173AF97 ,  5F173AH02 ,  5F173AL04 ,  5F173AP09 ,  5F173AP33 ,  5F173AP45 ,  5F173AP82 ,  5F173AR32 ,  5F173AR55 ,  5F173AR93
引用特許：
出願人引用 (4件)
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