特許
J-GLOBAL ID：200903035998825265

分布帰還型半導体レーザ

発明者：
奥貫 雄一郎

奥貫 雄一郎 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (3件)： 高田 守 ,  高橋 英樹 ,  大阿久 敦子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-171586
公開番号（公開出願番号）：特開2005-353761
出願日： 2004年06月09日
公開日（公表日）： 2005年12月22日
要約：
【課題】 劈開位置のばらつきに起因するレーザ効率のばらつきを抑制するとともに、光の出射方向が上下にずれるのを防ぐことのできる位相シフト型の分布帰還型半導体レーザを提供する。【解決手段】 n型InP基板1の上には活性層2が設けられており、活性層2の上方には、回折格子5およびp型InPクラッド層4が設けられている。回折格子5は、少なくとも1つの位相シフト部6を有している。また、この分布帰還型半導体レーザの端面7,8には、反射率が3%以下である反射防止膜が設けられている。そして、端面7,8から導波路方向に1μm以上20μm以下の長さの領域には回折格子5が設けられていない。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板の上方に設けられた活性層と、 前記活性層の上方に設けられたクラッド層と、 前記活性層の近傍に導波路方向に沿って形成されて、少なくとも1つの位相シフト部を有する回折格子とを備えた分布帰還型半導体レーザにおいて、 前記分布帰還型半導体レーザの両端面は、反射率が3%以下である反射防止膜を有し、 前記両端面から前記導波路方向に1μm以上20μm以下の長さの領域には、前記回折格子が設けられていないことを特徴とする分布帰還型半導体レーザ。
IPC (5件)：
H01S5/12 ,  H01S5/042 ,  H01S5/16 ,  H01S5/22 ,  H01S5/223
FI (5件)：
H01S5/12 ,  H01S5/042 610 ,  H01S5/16 ,  H01S5/22 ,  H01S5/223
Fターム (18件)：
5F173AA08 ,  5F173AA22 ,  5F173AB14 ,  5F173AB15 ,  5F173AB16 ,  5F173AB30 ,  5F173AB62 ,  5F173AB65 ,  5F173AB73 ,  5F173AB75 ,  5F173AF72 ,  5F173AH14 ,  5F173AL03 ,  5F173AP79 ,  5F173AP82 ,  5F173AR04 ,  5F173AR58 ,  5F173AR93
引用特許：
審査官引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM