特許
J-GLOBAL ID:200903093589629888
集積回路及びその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
大島 陽一
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-520556
公開番号(公開出願番号):特表2000-510288
出願日: 1997年10月27日
公開日(公表日): 2000年08月08日
要約:
【要約】縦型集積回路において用いるのに適した背面側コンタクトパッドを製造するために、ウエハ(110)の表面側にビアが形成され、誘電体(140)及びコンタクトパッド金属(150)がそのビア内に堆積する。その後その金属が露出するまで(150C)ウエハ背面側がエッチングされる。そのエッチングによりビア底面(140A、140B)において絶縁体が露出するとき、その絶縁体はウエハ材料(例えばシリコン)より遅くエッチングされる。それゆえ誘電体がエッチング除去され、金属が露出するとき、誘電体は、その露出した金属コンタクトパッド周囲において、ある実施例では約8μmだけウエハ背面側から下方に突出する。コンタクトパッドが下側をなす回路にはんだ付けされるとき、突出した誘電体部分がウエハとコンタクトパッドとの間の絶縁性を改善する。
請求項(抜粋):
集積回路を製造するための方法であって、 第1の側に1つ或いはそれ以上の開口部を有する本体を設ける過程と、 前記1つ或いはそれ以上の各開口部内に第1の誘電体及び導体を形成する過程であって、前記各開口部内の前記導体が、前記第1の誘電体により前記本体から隔離される、該過程と、 前記本体の第2の側から材料を除去し、前記各開口部の前記導体を露出させる過程とを有し、前記材料の前記除去過程が、前記第1の誘電体の除去速度が前記本体の材料の除去速度より遅くなる処理からなることを特徴とする方法。
IPC (4件):
H01L 27/00 301
, H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
FI (2件):
H01L 27/00 301 B
, H01L 25/08 B
引用特許:
審査官引用 (5件)
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特開昭62-219954
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特開昭60-007149
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集積回路の内部接続構造とその製造方法
公報種別:公表公報
出願番号:特願平6-510197
出願人:リーディ,グレン
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特開平4-025122
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積層型半導体集積回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-263544
出願人:シャープ株式会社
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