特許

J-GLOBAL ID：200903093645279291

化学機械的研磨以後の銅層腐食を防止する半導体装置の製造方法及びこれに用いられる化学機械的研磨装置

発明者： 韓 滋衡
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-220127
公開番号（公開出願番号）：特開2002-093760
出願日： 2001年07月19日
公開日（公表日）： 2002年03月29日
要約：

【要約】【課題】 CMP以後の銅層腐食を防止する半導体装置の製造方法及びこれに用いられるCMP装置を提供する。【解決手段】 銅層が形成されたウェーハをCMP装置で研磨した後に洗浄装置に移送するために待機する時、待機位置に集まったウェーハに腐食防止剤が含まれていた溶液を提供して少なくとも研磨された銅層表面を溶液でウェッティングされた状態で維持させる。以後に、待機位置に集まったウェーハを洗浄装置に移送して洗浄する。この時、溶液は純水に腐食防止剤を添加した溶液を用い、腐食防止剤は望ましくはベンゾトリアゾールを用いる。また、前記ウェーハの移送時にも移送されるウェーハの表面は腐食防止剤を含む溶液でウェッティングされた状態を維持する。そしてこのような方法を行うCMP装置を提供する。これにより、CMP以後に研磨された銅層が腐食されることを効果的に防止できる。

請求項（抜粋）：

ウェーハ上に形成された銅層を化学機械的研磨する段階と、化学機械的研磨された銅層表面に腐食防止剤が含まれた溶液を供給して前記研磨された銅層表面が前記溶液でウェッティングされた状態で前記ウェーハを待機位置に待機させる段階と、前記ウェーハを洗浄装置に移送する段階と、前記ウェーハを洗浄する段階とを含むことを特徴とする銅層腐食を防止する半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  B24B 37/04

FI (3件)：

H01L 21/304 622 P ,  H01L 21/304 622 Q ,  B24B 37/04 Z

Fターム (10件)：

3C058AA07 ,  3C058AA18 ,  3C058AA19 ,  3C058AB03 ,  3C058AB08 ,  3C058AC04 ,  3C058CB02 ,  3C058DA06 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 基体処理方法及び基体処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-229802   出願人：富士通株式会社
• 半導体ウエハの水没収納方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-035200   出願人：ラップマスターエスエフティ株式会社
• 半導体集積回路装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-209857   出願人：株式会社日立製作所