半導体集積回路装置の製造方法

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-209857
公開番号（公開出願番号）：特開2000-040679
出願日： 1998年07月24日
公開日（公表日）： 2000年02月08日
要約：

【要約】【課題】化学的機械研磨(CMP)法によって形成されるメタル配線の防蝕技術を提供する。【解決手段】本発明による半導体集積回路装置の製造方法は、ウエハの主面上にCu(またはCuを主要な成分として含むCu合金など)からなるメタル層を形成した後、このメタル層を化学的機械研磨(CMP)法によって平坦化処理してメタル配線を形成する工程と、前記平坦化処理が施されたウエハの主面を防蝕処理して前記メタル配線の表面に疎水性保護膜を形成する工程と、前記防蝕処理が施されたウエハの主面を乾燥させないように液体に浸漬または湿潤状態に保持する工程と、前記湿潤状態に保持されたウエハの主面を後洗浄する工程とを備えている。

請求項（抜粋）：

以下の工程を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法;(a)半導体集積回路のパターンを有するウエハの第1主面上に、メタルを主な構成要素とするメタル層を形成する工程、(b)前記メタル層が形成された前記ウエハの前記第1主面を化学的機械研磨法によって平坦化処理する工程、(c)前記平坦化処理が施された前記ウエハの前記第1主面に防蝕処理を施す工程、(d)前記防蝕処理が施された前記ウエハの前記第1主面を乾燥させないように、液体に浸漬または湿潤状態に保持する工程、(e)前記湿潤状態に保持された前記ウエハの前記第1主面を後洗浄する工程。

IPC (3件)：

H01L 21/304 622 , H01L 21/304 , H01L 21/3205

FI (4件)：

H01L 21/304 622 P , H01L 21/304 622 Q , H01L 21/304 622 X , H01L 21/88 K

Fターム (12件)：

5F033AA02 , 5F033AA04 , 5F033AA05 , 5F033AA24 , 5F033AA66 , 5F033AA67 , 5F033AA71 , 5F033AA73 , 5F033BA17 , 5F033BA44 , 5F033EA19 , 5F033EA25

引用特許：

審査官引用 (14件)

基板の研磨後処理方法およびこれに用いる研磨装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-279384 出願人：ソニー株式会社
ウエハの製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-050893 出願人：三菱マテリアル株式会社
ウエ-ハ枚葉洗浄装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-227864 出願人：株式会社エンヤシステム

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