特許
J-GLOBAL ID：200903093652090471
窒化物系化合物半導体の電極および半導体素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鳥居 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-058073
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256603
出願日： 1997年03月12日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：
【要約】【課題】 窒化物系化合物半導体の不純物濃度を過度に増加させることなく、良好なオーミック特性を得ることができ、更に、Al等の金属を用いる場合に生じがちなデバイスの信頼性の低下や、最適な金属を見いだすための開発コストが嵩むといった不具合を生じない窒化物系化合物半導体の電極を提供する。【解決手段】 Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、Wのうちから選ばれた元素をaとし、電極が形成されるp型又はn型の窒化物系化合物半導体における被窒化物として、Ga、In、Al、GaIn、GaAl、InAl、GaInAlのうちから選ばれたものをbとし、電極材料がaX b1-X N(ただし、前記Xは0≦X≦1の範囲に存在し、前記窒化物系化合物半導体から離れるほどXは大きい)を満たす構造を有することで、エネルギー障壁(qφBn或いはqφBp)が小さくされている。
請求項（抜粋）：
金属窒化物から成ることを特徴とする窒化物系化合物半導体の電極。
FI (2件)：
H01L 33/00 E
, H01L 33/00 C
