特許
J-GLOBAL ID：200903093689479255

ポジ型レジスト組成物

発明者：
阿出川 豊

阿出川 豊 について


出願人/特許権者：
富士写真フイルム株式会社

富士写真フイルム株式会社 について


代理人 (5件)： 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛 ,  濱田 百合子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-057343
公開番号（公開出願番号）：特開2004-264767
出願日： 2003年03月04日
公開日（公表日）： 2004年09月24日
要約：
【課題】半導体デバイスの製造において、ArFやKrFを光源とする遠紫外線領域の露光に対応し得、解像力、マスクリニアリティー、スカム、膜べり、SEMシュリンクに優れたポジ型レジスト組成物を提供する。【解決手段】(A)下記一般式(A)で表される特定構造の、酸の作用により分解し、アルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂及び(B)活性光線又は放射線の照射により、酸を発生する化合物を含有するポジ型レジスト組成物。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
(A)酸の作用により分解し、アルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂及び (B)活性光線又は放射線の照射により、酸を発生する化合物 を含有するポジ型レジスト組成物に於いて、 (A)成分の樹脂が、下記一般式(A)で表される基を有するビニルエーテル系繰り返し単位、下記一般式(A)で表される基を有するビニルエステル系繰り返し単位及び下記一般式(A)で表される基を有するβ-アルキルアクリル酸系繰り返し単位から選ばれる少なくとも1種類の繰り返し単位を有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
IPC (3件)：
G03F7/039 ,  C08F30/08 ,  H01L21/027
FI (3件)：
G03F7/039 601 ,  C08F30/08 ,  H01L21/30 502R
Fターム (29件)：
2H025AA02 ,  2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC03 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB10 ,  2H025CB14 ,  2H025CB33 ,  2H025CB34 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025CC20 ,  2H025FA17 ,  4J100AE09P ,  4J100AE09Q ,  4J100AE21P ,  4J100AG18P ,  4J100AL03Q ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL34Q ,  4J100BA81P ,  4J100BB18Q ,  4J100BC53Q ,  4J100JA38
引用特許：
審査官引用 (3件)

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