特許

J-GLOBAL ID：200903093692852510

薄膜形成方法および半導体装置の製造方法

発明者： 遠藤 和彦
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 石川 泰男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-099262
公開番号（公開出願番号）：特開2003-297814
出願日： 2002年04月01日
公開日（公表日）： 2003年10月17日
要約：

【要約】【課題】 基板内に特定の金属元素を導入する新規な薄膜形成手段を提供すると共に、シリサイド膜、シリケート膜もしくはアルミネート膜等からなる薄膜を膜厚及び膜質の面内均一性よく基板上に形成することができる薄膜形成方法を提供し、さらにその方法を用いた半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 基板1上に少なくとも1種の金属元素3を含有する化合物2を供給する第1ステップと、その金属元素3を基板1に導入するために基板1に対してエネルギー粒子4を照射する第2ステップとを交互に繰り返す薄膜形成方法により、上記課題を解決する。このとき、化合物2が基板上に飽和吸着することが好ましく、エネルギー粒子がプラズマであることが好ましい。本発明の半導体装置の製造方法は、上述した薄膜形成方法を工程中に有するものであり、その結果、シリサイド膜やシリケート膜等を薄膜の膜厚や膜質の面内均一性よく半導体装置中に形成できる。

請求項（抜粋）：

基板上に少なくとも1種の金属元素を含有する化合物を供給する第1ステップと、前記金属元素を該基板に導入するために該基板に対してエネルギー粒子を照射する第2ステップとを交互に繰り返すことを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (7件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/48 ,  H01L 21/283 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78

FI (7件)：

H01L 21/31 A ,  C23C 16/48 ,  H01L 21/283 B ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/316 C ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 301 P

Fターム (91件)：

4K030AA11 ,  4K030BA10 ,  4K030BA22 ,  4K030BA48 ,  4K030BA59 ,  4K030CA04 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030FA06 ,  4K030FA12 ,  4M104AA01 ,  4M104AA02 ,  4M104BB01 ,  4M104BB18 ,  4M104BB20 ,  4M104BB22 ,  4M104BB25 ,  4M104BB26 ,  4M104BB27 ,  4M104BB28 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD43 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  4M104DD78 ,  4M104EE02 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104GG09 ,  4M104HH16 ,  4M104HH20 ,  5F045AA08 ,  5F045AC07 ,  5F045BB02 ,  5F045BB16 ,  5F045DC63 ,  5F045DP03 ,  5F045EB02 ,  5F045EE04 ,  5F045EE19 ,  5F045EH19 ,  5F045HA11 ,  5F058BA06 ,  5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BC20 ,  5F058BF27 ,  5F058BF73 ,  5F058BJ01 ,  5F140AA01 ,  5F140AA24 ,  5F140AA39 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA03 ,  5F140BC06 ,  5F140BC17 ,  5F140BD01 ,  5F140BD02 ,  5F140BD05 ,  5F140BD13 ,  5F140BD15 ,  5F140BE05 ,  5F140BE07 ,  5F140BE09 ,  5F140BE13 ,  5F140BE17 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF17 ,  5F140BF18 ,  5F140BG28 ,  5F140BG34 ,  5F140BG38 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ10 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ17 ,  5F140BJ20 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140BK25 ,  5F140BK34 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CF04

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-361531
  
• テクスチャ加工されたキャパシタ電極上のコンフォーマル薄膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-368569   出願人：エイエスエムマイクロケミストリオーワイ
• 半導体デバイスのシリサイド形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-191709   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド