特許
J-GLOBAL ID：200903091100919436
テクスチャ加工されたキャパシタ電極上のコンフォーマル薄膜
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三枝 英二 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-368569
公開番号（公開出願番号）：特開2001-200363
出願日： 2000年12月04日
公開日（公表日）： 2001年07月24日
要約：
【要約】【課題】集積回路中にキャパシタを形成する方法を提供する。【解決手段】テクスチャ加工されたシリコン層を含むボトム電極を構築すること;およびテクスチャ加工されたシリコン層上に誘電体層を堆積することを包含し、ここで、堆積は、第1反応物種への露出により、テクスチャ加工シリコン層上に第1材料の約1以下の単層を形成すること;および第2反応物種を第1材料と反応させて、第2材料の約1以下の単層を残すことを包含する。
請求項（抜粋）：
集積回路中にキャパシタを形成する方法であって、テクスチャ加工されたシリコン層を含むボトム電極を構築すること;およびテクスチャ加工されたシリコン層上に誘電体層を堆積すること、を包含し、ここで、堆積は、第1反応物種への暴露により、テクスチャ加工されたシリコン層上に第1材料の約1以下の単層を形成すること;および第2材料の約1以下の単層を残すために、第2反応物種を第1材料と反応させること、を包含する、方法。
IPC (4件)：
C23C 16/24
, C23C 16/40
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
C23C 16/24
, C23C 16/40
, H01L 27/10 621 B
, H01L 27/10 621 C
, H01L 27/10 625 B
