化合物半導体の結晶成長方法及び化合物半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小池隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-077040
公開番号（公開出願番号）：特開2000-049104
出願日： 1999年03月23日
公開日（公表日）： 2000年02月18日
要約：

【要約】【課題】相分離することなく、GaAsNの良質の単結晶を得る。また、GaAsNを用いたデバイスの特性を向上させる。【解決手段】ミシビリティギャップ組成のGaAsN混晶の成長において、Ga供給→窒化→Ga供給→砒化のサイクルを繰り返しながら成長を行う。

請求項（抜粋）：

化合物半導体基板の上にV族元素として窒素と窒素以外のV族元素とを両方含むIII-V族化合物半導体の結晶成長を行う化合物半導体の結晶成長方法において、窒素原料と、窒素以外のV族元素原料とを、それぞれ同時に供給しないことを特徴とする化合物半導体の結晶成長方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 , C30B 29/40 502 , H01L 21/203 , H01L 33/00

FI (4件)：

H01L 21/205 , C30B 29/40 502 E , H01L 21/203 M , H01L 33/00 A

引用特許：

審査官引用 (3件)

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