III-V族化合物半導体の積層超格子構造及びそれを用いた発光素子

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：梅田勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-051454
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263744
出願日： 1994年03月23日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：

【要約】【目的】現在の結晶成長技術では得ることのできない高混晶比の窒化物以外のIII-V族化合物半導体とIII族-窒素化合物半導体の混晶と同じバンドギャップを得ることのできる、窒化物以外のIII-V族化合物半導体とIII族-窒素化合物半導体積層構造を提供することを目的とする。【構成】 Al、Ga、及びInからなるIII族原子群から選択されたIII族原子と、P、As、及びSbからなるV族原子群から選択されたV族原子と、窒素原子とで構成されるIII-V族化合物半導体の積層構造であって、前記III族原子と前記V族原子とを1原子層ずつ積層した第1単原子層と、前記III族原子と前記窒素原子とを1原子層ずつ積層した第2単原子層とを規則的に積層してなるIII-V族化合物半導体の積層超格子構造を提供するものである。

請求項（抜粋）：

Al、Ga、及びInからなるIII族原子群から選択されたIII族原子と、P、As、及びSbからなるV族原子群から選択されたV族原子と、窒素原子と、で構成されるIII-V族化合物半導体の積層構造であって、前記III族原子と前記V族原子とを1原子層ずつ積層した第1単原子層と、前記III族原子と前記窒素原子とを1原子層ずつ積層した第2単原子層と、を規則的に積層してなることを特徴とするIII-V族化合物半導体の積層超格子構造。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (14件)

特開昭61-088573
特開平2-303068
特開平3-079088

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