特許
J-GLOBAL ID：200903093699327941
強誘電体結晶材料及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-321959
公開番号（公開出願番号）：特開2005-093133
出願日： 2003年09月12日
公開日（公表日）： 2005年04月07日
要約：
【課題】ペロブスカイト型強誘電体結晶にエンジニアード・ドメイン構造を導入することにより、圧電特性を飛躍的に向上させた材料および圧電特性を飛躍的に向上させるエンジニアード・ドメイン構造の導入方法を提供する。【解決手段】ペロブスカイト型強誘電体結晶に微細な多分域構造のエンジニアード・ドメイン構造を導入することにより、圧電特性の著しい向上を得ることができる。微細な多分域構造の導入は、ペロブスカイト型強誘電体結晶を構造相転移する温度以上に加熱し、結晶の強誘電自発分極方向とは異なる方位に電界を印加し、電界を印加した状態を保って結晶の温度を下げることにより得ることかできる。【選択図】図7
請求項（抜粋）：
ペロブスカイト型強誘電体結晶に微細な多分域構造が導入されてなることを特徴とする強誘電体結晶材料。
IPC (4件)：
H01B3/12
, H01L41/09
, H01L41/187
, H01L41/24
H01B3/12
, H01L41/18 101B
, H01L41/22 A
, H01L41/08 C
5G303AA02
, 5G303AA04
, 5G303AB20
, 5G303BA05
, 5G303CA01
