特許
J-GLOBAL ID：200903093699508164

横方向に結晶化したELA多結晶SI膜を使用してチャネル特性を最適化する方法

発明者：
アポストロス ボウトサス

アポストロス ボウトサス について

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ジョン ダブリュー. ハーツェル

ジョン ダブリュー. ハーツェル について

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中田 行彦

中田 行彦 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-394532
公開番号（公開出願番号）：特開2002-289523
出願日： 2001年12月26日
公開日（公表日）： 2002年10月04日
要約：
【要約】【課題】 異なる結晶配向に対する異なる配向にマスクパターンを回転することによって、デバイスの異なるエリアへの所望のTFTチャネル配向に適合する結晶配向を選択する方法を提供する。【解決手段】 基板上の多結晶領域の形成方法は、基板を照射するようにマスクを通過したレーザービームを方向付ける工程と、基板上の初期領域に初期角度でマスクを配向する工程と、横方向結晶化プロセスを使用して初期領域をアニーリングする工程と、基板上の第2の領域に第2の角度にマスクを再配向する工程と、横方向結晶化プロセスを使用して第2の領域をアニーリングする工程とを包含する。
請求項（抜粋）：
a)基板を照射するようにマスクを通過したレーザービームを方向付ける工程と、b)該基板上の初期領域に初期角度で該マスクを配向する工程と、c)横方向結晶化プロセスを使用して該初期領域をアニーリングする工程と、d)該基板上の第2の領域に第2の角度に該マスクを再配向する工程と、e)該横方向結晶化プロセスを使用して該第2の領域をアニーリングする工程とを包含する基板上の多結晶領域の形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786
FI (4件)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 618 Z
Fターム (24件)：
5F045AB03 ,  5F045CA15 ,  5F045EB02 ,  5F045HA18 ,  5F052AA02 ,  5F052BA12 ,  5F052BA18 ,  5F052BB07 ,  5F052CA04 ,  5F052DA02 ,  5F052FA01 ,  5F052HA01 ,  5F052JA01 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD04 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110PP03 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP24
引用特許：
審査官引用 (3件)

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