特許
J-GLOBAL ID：200903048232854012
多結晶半導体薄膜の製造方法および製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-217213
公開番号（公開出願番号）：特開平11-064883
出願日： 1997年08月12日
公開日（公表日）： 1999年03月05日
要約：
【要約】【課題】多結晶Si薄膜トランジスタの高性能化と高均一化を実現する生産性に優れた結晶粒の大きな多結晶Si薄膜の製造方法を提供することにある。【解決手段】エキシマレーザービームを非晶質Si薄膜に照射し、Si薄膜を溶融再結晶化する方法において、Si薄膜を照射するエキシマレーザービームの光路に、繰り返しパターンが形成されたマスクを挿入してSi薄膜面上に照射されるビームをマスクパターンでエネルギーを変調して照射することにより、面内の平面方向の温度勾配を制御すると同時に、Si薄膜が形成された基板をレーザー照射と同期して順次移動させて多結晶Siを形成する。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上に非晶質半導体薄膜を形成する工程と、この半導体薄膜にエネルギービームを照射して前記半導体薄膜を溶融再結晶化する多結晶半導体薄膜の製造方法において、前記エネルギービームの一部が透過する繰り返しパターンが透明板上に形成されたマスクを介して前記エネルギービームを前記半導体薄膜に照射する工程と、前記半導体膜上への前記エネルギービームの照射位置を変えて順次照射して前記多結晶半導体薄膜を成長させる工程とを具備することを特徴とする多結晶半導体薄膜の製造方法。
IPC (4件)：
G02F 1/136 500
, H01L 21/20
, H01L 29/786
, H01L 21/336
G02F 1/136 500
, H01L 21/20
, H01L 29/78 618 Z
, H01L 29/78 627 G
