特許
J-GLOBAL ID：200903093703543581

電子電界エミッタの放出状態を改善するための方法

発明者：
ボーシヤード,ロバート・ジヨセフ

ボーシヤード,ロバート・ジヨセフ について

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チエング,ラプ-タク・アンドリユー

チエング,ラプ-タク・アンドリユー について

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ラビン,ジヨン・ジエラード

ラビン,ジヨン・ジエラード について

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ローチ,デイビツド・ハーバート

ローチ,デイビツド・ハーバート について


出願人/特許権者：
イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー

イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー について


代理人 (1件)： 小田島 平吉
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-503904
公開番号（公開出願番号）：特表2004-504690
出願日： 2001年06月19日
公開日（公表日）： 2004年02月12日
要約：
本発明によれば、針状炭素、針状半導体、針状金属またはこれらの混合物などの針状放出物質で構成される電子電界エミッタの電界放出を改善するための方法であって、電子電界エミッタの表面に力を印加することを含み、この力によって電子電界エミッタの一部を除去し、電子電界エミッタの新たな表面を形成する方法が得られる。
請求項（抜粋）：
針状放出物質で構成される電子電界エミッタの電界放出を改善するための方法であって、 (a)前記電子電界エミッタから材料を剥離したときに前記電子電界エミッタの一部が除去または再配列されて前記電子電界エミッタの新たな表面が形成されるように十分な密着力が得られる密着接触を前記電子電界エミッタとの間で形成する前記材料と前記電子電界エミッタとを接触させ、 (b)前記材料を前記電子電界エミッタから剥離することを含むことを特徴とする方法。
IPC (5件)：
H01J9/02 ,  H01J1/304 ,  H01J19/24 ,  H01J21/10 ,  H01J63/06
FI (5件)：
H01J9/02 B ,  H01J19/24 ,  H01J21/10 ,  H01J63/06 ,  H01J1/30 F
Fターム (20件)：
5C039MM02 ,  5C127AA00 ,  5C127AA06 ,  5C127AA20 ,  5C127BA15 ,  5C127BB07 ,  5C127CC02 ,  5C127DD04 ,  5C127DD19 ,  5C127DD43 ,  5C127DD63 ,  5C127DD64 ,  5C127EE02 ,  5C135AA09 ,  5C135AA15 ,  5C135AB05 ,  5C135AB07 ,  5C135AC01 ,  5C135AC07 ,  5C135HH02
引用特許：
審査官引用 (6件)
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