メモリコントローラおよびメモリシステム装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：古谷史旺
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-011176
公開番号（公開出願番号）：特開2003-216483
出願日： 2002年01月21日
公開日（公表日）： 2003年07月31日
要約：

【要約】【課題】ページサイズが大きいフラッシュメモリを、既存のシステムで使用できるメモリコントローラおよびメモリシステム装置を提供する。【解決手段】メモリコントローラのデータバッファは、ページバッファのサイズより小さい第1プログラムデータをシステムから受信し、受信したデータを保持する。メモリコントローラのデータ付加回路は、第1プログラムデータにマスクデータを付加して、ページバッファのサイズに等しい第2プログラムデータを生成する。マスクデータは、メモリセルにプログラムされないため、不揮発性半導体メモリのページには、システムから供給された第1プログラムデータのみがプログラムされる。すなわち、不揮発性半導体メモリのページバッファのサイズが大きい場合にも、本発明のメモリコントローラを使用することで、既存のシステムに対する互換性を維持できる。

請求項（抜粋）：

メモリセルを有する複数のページとこれ等ページにプログラムするプログラムデータを一時保持するページバッファとを備えている不揮発性半導体メモリを制御するメモリコントローラであって、システムから供給される前記ページバッファのサイズより小さい第1プログラムデータを保持するデータバッファと、前記メモリセルにプログラムされないマスクデータを前記第1プログラムデータに付加して、前記ページバッファのサイズに等しい第2プログラムデータを生成し、生成した前記第2プログラムデータを前記ページバッファに出力するデータ付加回路とを備えていることを特徴とするメモリコントローラ。

IPC (6件)：

G06F 12/04 520 , G06F 12/04 , G06F 3/06 301 , G06F 3/06 , G06F 3/08 , G06F 12/00 597

FI (6件)：

G06F 12/04 520 D , G06F 12/04 520 A , G06F 3/06 301 N , G06F 3/06 301 V , G06F 3/08 H , G06F 12/00 597 U

Fターム (5件)：

5B060DA05 , 5B065BA05 , 5B065CA15 , 5B065CC08 , 5B065CE12

引用特許：

審査官引用 (3件)

フラッシュメモリを搭載する記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-098019 出願人：三菱電機株式会社
不揮発性メモリへのデータ格納装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-250869 出願人：日本電気株式会社
フラッシュメモリを使用した外部記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-080802 出願人：株式会社日立製作所

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