特許
J-GLOBAL ID:200903093727597739
セラミックス層と金属導体層の接合体
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
山本 正緒
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-293184
公開番号(公開出願番号):特開2001-118970
出願日: 1999年10月15日
公開日(公表日): 2001年04月27日
要約:
【要約】【課題】 金属導体層と接合されるセラミックス層に熱応力が発生せず、従って接合に要する費用を大幅に低減できると共に、厚い金属導体層を用いて熱放散性の良好なセラミックス層と金属導体層の接合体を提供する。【解決手段】 熱伝導率50W/mK以上の窒化アルミニウム又は窒化ケイ素からなるセラミックス層1と、セラミックス層1上に積層した銅又はアルミニウム若しくはそれらの合金からなる金属導体層2とが、その側面から絶縁材料3で保持されて機械的に固定接合されている。この接合体の金属導体層2には半導体チップが搭載され、絶縁材料3をラジエーターの金属板4にネジ止めしてモジュールとする。
請求項(抜粋):
熱伝導率50W/mK以上の窒化アルミニウム又は窒化ケイ素からなるセラミックス層と、該セラミックス層上に積層した銅又はアルミニウム若しくはそれらの合金からなる金属導体層とを、両者の側面から絶縁材料で保持して機械的に固定接合したことを特徴とするセラミックス層と金属導体層の接合体。
IPC (5件):
H01L 23/36
, H01L 23/12
, H05K 1/02
, H05K 1/03 610
, H05K 3/38
FI (5件):
H05K 1/02 F
, H05K 1/03 610 E
, H05K 3/38 E
, H01L 23/36 C
, H01L 23/12 L
Fターム (27件):
5E338AA18
, 5E338BB65
, 5E338BB71
, 5E338BB75
, 5E338CC01
, 5E338CD11
, 5E338EE01
, 5E338EE02
, 5E343AA01
, 5E343AA24
, 5E343AA38
, 5E343BB05
, 5E343BB14
, 5E343BB24
, 5E343BB28
, 5E343BB53
, 5E343BB67
, 5E343CC01
, 5E343DD51
, 5E343GG02
, 5E343GG16
, 5F036AA01
, 5F036BB08
, 5F036BB21
, 5F036BD01
, 5F036BD03
, 5F036BD13
引用特許:
出願人引用 (4件)
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-081171
出願人:富士電機株式会社
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-040090
出願人:株式会社日立製作所
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回路基板
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-124334
出願人:電気化学工業株式会社
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特開昭57-050455
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審査官引用 (6件)
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-081171
出願人:富士電機株式会社
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-040090
出願人:株式会社日立製作所
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内転形ブラシレスモータ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-155670
出願人:株式会社日立製作所
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回路基板
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-124334
出願人:電気化学工業株式会社
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特開昭57-050455
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特開昭57-050455
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