特許
J-GLOBAL ID：200903093738608996

CVD膜の形成方法

発明者：
矢野 尚

矢野 尚 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-248447
公開番号（公開出願番号）：特開2002-151497
出願日： 2001年08月20日
公開日（公表日）： 2002年05月24日
要約：
【要約】【課題】高密度プラズマCVD膜を形成する際に、生産性を低下させることなく、微細パターン形成不良の原因となるパーティクルの発生を抑制し、半導体デバイスの歩留りを向上する。【解決手段】 半導体基板にプラズマCVD膜を形成する工程#101aと、その際に使用したターボポンプを介装したメイン排気ラインに排気して反応室内を低圧クリーニングする工程#101bとを順次に繰り返して、予め決めた複数枚の半導体基板にCVD膜を形成する。また、前記複数枚の半導体基板へのCVD膜の形成の前後の少なくとも一方で、ここでは工程#100と#151とで、ターボポンプを持たないラフ排気ラインを用いて反応室の内部を高圧クリーニングする。これにより、膜形成を終了する度に実施する低圧クリーニングによって、メイン排気ラインに付着した反応物を効率よく除去することができ、パーティクルを抑制できる。
請求項（抜粋）：
CVD膜を形成するための反応室と、前記反応室に接続したターボポンプを含まない第1の排気ラインと、ターボポンプを含み前記第1の排気ラインとは独立に前記反応室に接続した第2の排気ラインとを備えたCVD装置で複数枚の半導体基板にCVD膜を形成するに際して、前記反応室に反応ガスを供給しつつ、室内を所定の反応圧に維持するように前記ターボポンプを駆動し前記第2の排気ラインを通じて排気する状態において、前記反応室内に半導体基板を搬入してCVD膜を形成し、膜形成を終了した半導体基板を搬出する工程と、前記半導体基板を搬出した反応室にクリーニングガスを供給しつつ、室内を前記膜形成時より高い所定の低圧に維持するように前記第2の排気ラインを通じて排気することにより、前記反応室の内部を低圧クリーニングする工程とを1サイクルとして、予め決めた基板枚数に応じた回数だけ繰り返す第1の工程と、前記反応室にクリーニングガスを供給しつつ、室内を前記膜形成時より高い所定の高圧に維持するように前記第1の排気ラインを通じて排気することにより、前記反応室の内部を高圧クリーニングする第2の工程とを行なうことを特徴とするCVD膜の形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/31 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/3065
FI (3件)：
H01L 21/31 C ,  C23C 16/44 J ,  H01L 21/302 N
Fターム (24件)：
4K030DA06 ,  4K030FA01 ,  4K030LA15 ,  5F004AA15 ,  5F004BA19 ,  5F004BC02 ,  5F004BC03 ,  5F004BD04 ,  5F004CA02 ,  5F004DA17 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F045AA08 ,  5F045AB32 ,  5F045AC01 ,  5F045AC11 ,  5F045AC16 ,  5F045BB15 ,  5F045EB06 ,  5F045EE13 ,  5F045EE17 ,  5F045EG02 ,  5F045EG03 ,  5F045EG06
引用特許：
審査官引用 (3件)

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