特許
J-GLOBAL ID：200903093740447479

光電変換素子、光電変換素子の製造方法、及び光電池

発明者：
小野 三千夫

小野 三千夫 について


出願人/特許権者：
富士写真フイルム株式会社

富士写真フイルム株式会社 について


代理人 (1件)： 中島 淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-358090
公開番号（公開出願番号）：特開2003-157914
出願日： 2001年11月22日
公開日（公表日）： 2003年05月30日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 実用的な製造適性を有し、安価で、かつ変換効率及び耐久性に優れ、色素により増感された半導体微粒子を用いた光電変換素子及びその製造方法、ならびに該光電変換素子を用いた光電池を提供する。【解決手段】 導電性支持体上に、色素を吸着した半導体微粒子を含有してなる半導体微粒子含有層20、電荷輸送層30、及び対向電極40を有してなる光電変換素子であって、前記電荷輸送層がゲル電解質30からなり、前記対向電極が導電性樹脂40からなる光電変換素子、該光電変換素子を用いた光電池である。また、導電性支持体上に、前記半導体微粒子含有層と、前記電荷輸送層と、前記対向電極とを積層して順次組み上げる工程を有する光電変換素子の製造方法である。
請求項（抜粋）：
導電性支持体上に、色素を吸着した半導体微粒子を含有してなる半導体微粒子含有層、電荷輸送層、及び対向電極を有してなる光電変換素子であって、前記電荷輸送層がゲル電解質からなり、前記対向電極が導電性樹脂からなることを特徴とする光電変換素子。
IPC (2件)：
H01M 14/00 ,  H01L 31/04
FI (2件)：
H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 Z
Fターム (15件)：
5F051AA14 ,  5F051CB13 ,  5F051CB27 ,  5F051CB29 ,  5F051FA03 ,  5F051FA10 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032BB10 ,  5H032CC01 ,  5H032CC16 ,  5H032EE02 ,  5H032EE04 ,  5H032EE16 ,  5H032EE18
引用特許：
審査官引用 (6件)
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