特許
J-GLOBAL ID：200903093748343311
窒化物系半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐々木 晴康 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-022732
公開番号（公開出願番号）：特開2002-231997
出願日： 2001年01月31日
公開日（公表日）： 2002年08月16日
要約：
【要約】【課題】 GaN基板上に積層構造を形成する際、GaN基板界面では、Nの高い蒸気圧のため、N抜けやGa抜けが生じ欠陥密度が極めて多くなる。このため、同基板上に上記製造方法で作製した窒化物系半導体発光素子は、未だ結晶欠陥を多く含んでおり、これらの欠陥が非発光再結合中心として働いたり、欠陥部分が電流のパスとして働き漏れ電流の原因となるため、駆動電圧が高く、歩留りが悪いという問題点があった。【解決手段】 GaN系基板を用いた窒化物系半導体発光素子において、GaN基板形成後、基板を大気中に放置することによって、基板にOを吸着させ、その後、発光素子構造を形成する。
請求項（抜粋）：
GaN系基板上に窒化物系半導体積層構造が形成されている窒化物系化合物半導体発光素素子において、GaN基板と窒化物系半導体積層構造との界面近傍にO元素が存在し、O元素の濃度は2×1016≦n≦1022cm-3の範囲内であることを特徴とする窒化物系半導体発光素子。
Fターム (16件)：
5F041AA03
, 5F041AA09
, 5F041AA40
, 5F041AA41
, 5F041AA43
, 5F041AA44
, 5F041CA05
, 5F041CA14
, 5F041CA40
, 5F041CA54
, 5F041CA58
, 5F041CA65
, 5F041CA72
, 5F041CA88
, 5F041CA92
, 5F041DA44
