特許
J-GLOBAL ID：200903093758099664
半導体波長可変レーザ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-100332
公開番号（公開出願番号）：特開平10-294523
出願日： 1997年04月17日
公開日（公表日）： 1998年11月04日
要約：
【要約】【課題】 連続可変波長幅が大きく、構造が簡便かつ製造が容易で、モノリシックで小型かつ取り扱いの簡易な可変波長半導体レーザを提供すること。【解決手段】 利得スペクトルが所用の可変波長領域をカバーするようにサイズのばらつきが制御された、熱的ド・ブロイ波長程度のサイズを有する2次元的あるいは3次元的キャリア閉じ込め構造により構成され電流を注入することにより光を発生し増幅する光利得領域と、電流注入量により光吸収係数が変化する光吸収制御領域と、前記光利得領域および光吸収制御領域を内包する光共振器と、前記光利得領域および光吸収制御領域に注入する電流量または電圧値を独立に制御する制御手段とを有する。
請求項（抜粋）：
利得スペクトルが所用の可変波長領域をカバーするようにサイズのばらつきが制御された、熱的ド・ブロイ波長程度のサイズを有する2次元的あるいは3次元的キャリア閉じ込め構造により構成され電流を注入することにより光を発生し増幅する光利得領域と、注入電流量により光吸収係数が変化する光吸収制御領域と、前記光利得領域および光吸収制御領域を内包する光共振器と、前記光利得領域および光吸収制御領域に注入する電流量または電圧値を独立に制御する制御手段とを有する半導体波長可変レーザ。
引用特許：
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