強誘電体膜の製造方法および強誘電体素子

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：外川英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-003928
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208646
出願日： 1999年01月11日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：

【要約】【課題】高品質な強誘電体膜を製造する強誘電体膜の製造方法を提供する。【解決手段】基体表面に凹凸を形成する基体凹凸形成工程と、この基体表面に強誘電体を成膜する強誘電体成膜工程を備えることを特徴とする強誘電体膜の製造方法。

請求項（抜粋）：

基体表面に凹凸を形成する基体凹凸形成工程と、この基体表面に強誘電体を成膜する強誘電体成膜工程を備えることを特徴とする強誘電体膜の製造方法。

IPC (9件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , C23C 16/40 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/10 451 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (5件)：

H01L 29/78 371 , C23C 16/40 , H01L 27/10 451 , H01L 27/04 C , H01L 27/10 651

Fターム (38件)：

4K030BA44 , 4K030CA04 , 4K030DA08 , 4K030HA03 , 4K030LA15 , 5F001AA17 , 5F001AB02 , 5F001AD12 , 5F001AF25 , 5F001AG01 , 5F001AG17 , 5F001AG30 , 5F038AC10 , 5F038AC15 , 5F038AC18 , 5F038DF05 , 5F038EZ17 , 5F083AD21 , 5F083AD63 , 5F083EP22 , 5F083EP48 , 5F083EP49 , 5F083FR01 , 5F083FR05 , 5F083GA21 , 5F083GA22 , 5F083GA30 , 5F083JA14 , 5F083JA15 , 5F083JA17 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083MA01 , 5F083MA19 , 5F083NA02 , 5F083PR05 , 5F083PR23 , 5F083PR33

引用特許：

審査官引用 (4件)

誘電体キャパシタ及び誘電体メモリ装置と、これらの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-358134 出願人：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-220221 出願人：セイコーエプソン株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-356493 出願人：株式会社東芝

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