記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-220221
公開番号（公開出願番号）：特開平7-074324
出願日： 1993年09月03日
公開日（公表日）： 1995年03月17日
要約：

【要約】【目的】ペロブスカイト結晶構造を持つチタン酸ジルコニュウム鉛(PZT)系等の強誘電体膜から成る記憶装置の劣化を防止し、記憶回数と寿命の向上を図る。【構成】強誘電体膜表面に燐ガラス膜を形成する。第1の電極であるPt/Ti膜からなる電極膜101上には強誘電体膜102が形成され、該強誘電体膜102上には燐ガラス膜107が形成され、該燐ガラス膜107上には第2の電極であるTi/Pt膜から成る電極膜103が形成されて成る。また強誘電体膜側面に燐ガラス膜を形成する、あるいは強誘電体膜表面を粗構造とすること等。【効果】結晶格子内の酸素欠損を補償する酸化剤を付加するかあるいは自己補償を可能にするために強誘電体膜の少なくとも表面を粗状にすることにより、強誘電体膜の劣化を防止することができる。書換え回数が10億回以上で、10年以上の寿命のある記憶装置を提供できる。

請求項（抜粋）：

強誘電体膜表面には燐ガラス膜が形成されて成ることを特徴とする記憶装置。

IPC (8件)：

H01L 27/10 451 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 21/8242 , H01L 27/108 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (3件)：

H01L 27/04 , H01L 27/10 325 J , H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-165551 出願人：セイコーエプソン株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-278604 出願人：株式会社東芝
半導体集積回路用容量素子及び製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-015446 出願人：株式会社日立製作所

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