特許
J-GLOBAL ID：200903093814017803

半導体装置

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
小山 潤

小山 潤 について

, 
福永 健司

福永 健司 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-267256
公開番号（公開出願番号）：特開2009-010431
出願日： 2008年10月16日
公開日（公表日）： 2009年01月15日
要約：
【課題】保護膜や層間絶縁膜を形成する際に、島状半導体層の段差によるカバレッジ不良を低減する半導体装置を提供することを課題とする。【解決手段】ボトムゲート型薄膜トランジスタにおいて、チャネル形成領域は前記リンを含有する層と重ならない前記真性または実質的に真性な層から形成され、前記半導体膜は、端部において前記チャネル形成領域と厚さの等しい突出部を有し、前記チャネル形成領域と突出部は前記リンを含有する層と重なる前記真性または実質的に真性な層より厚さが薄く、前記保護膜は前記チャネル形成領域と前記突出部とを覆っている半導体装置。【選択図】図10
請求項（抜粋）：
絶縁表面を有する基板上に設けられたゲイト電極と、 前記ゲイト電極上に設けられたゲイト絶縁膜と、 前記ゲイト絶縁膜上に設けられた、真性または実質的に真性な層およびリンを含有する層を有する半導体膜と、 前記半導体膜上の一部に形成された金属膜と、 前記半導体膜上に設けられた保護膜と、 を有する半導体装置であって、 前記リンを含有する層は前記真性または実質的に真性な層上の一部に形成され、 前記半導体膜は、前記リンを含有する層と重ならない前記真性または実質的に真性な層から形成されたチャネル形成領域を有し、 前記半導体膜は、端部において前記チャネル形成領域と厚さの等しく前記真性または実質的に真性な層から形成された突出部を有し、 前記チャネル形成領域と前記突出部は前記リンを含有する層と重なる前記真性または実質的に真性な層より厚さが薄く、 前記保護膜は前記チャネル形成領域と前記突出部とを覆っていることを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
H01L 29/786
FI (1件)：
H01L29/78 618C
Fターム (52件)：
5F110AA16 ,  5F110AA24 ,  5F110BB01 ,  5F110BB04 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110DD12 ,  5F110EE02 ,  5F110EE05 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF10 ,  5F110FF24 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG16 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG29 ,  5F110GG32 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG47 ,  5F110GG51 ,  5F110GG52 ,  5F110GG54 ,  5F110GG55 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ07 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK22 ,  5F110HM12 ,  5F110HM14 ,  5F110HM15 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP06 ,  5F110PP29 ,  5F110QQ03 ,  5F110QQ11
引用特許：
審査官引用 (4件)
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