特許
J-GLOBAL ID：200903093822991339
半導体製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
伊東 忠彦
, 大貫 進介
, 伊東 忠重
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-356600
公開番号（公開出願番号）：特開2005-197672
出願日： 2004年12月09日
公開日（公表日）： 2005年07月21日
要約：
【課題】 アンテナに高圧の電源が印加されて高密度のプラズマが発生される場合にも容易にドームの温度を所定の基準温度範囲に一定に維持することができる。【解決手段】 基板を受容する受容空間を形成するチャンバ本体及びドームと、前記ドームの上側に設けられて前記受容空間にプラズマを発生させるアンテナと、前記ドームの上側に設けられて前記ドームの温度を調節する温度調節ユニットとを備えた半導体製造装置において、前記温度調節ユニットは、前記ドームの上側に前記ドーム及び前記アンテナと隣接に設けられた熱伝達部材と;前記熱伝達部材の上側に設けられて前記ドームを加熱させるためのヒーターと;前記熱伝達部材と前記ヒーターとの間に設けられて前記ドームを冷却させる冷却部材と;前記冷却部材に対して結合されて前記ドームが所定の基準温度範囲を維持するように前記冷却部材に供給される冷却剤の量を調節する調節弁とを含む。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
基板を受容する受容空間を形成するチャンバ本体及びドームと、前記ドームの上側に設けられて前記受容空間にプラズマを発生させるアンテナと、前記ドームの上側に設けられて前記ドームの温度を調節する温度調節ユニットとを備えた半導体製造装置において、
前記温度調節ユニットは、
前記ドームの上側に前記ドーム及び前記アンテナと隣接に設けられた熱伝達部材と;
前記熱伝達部材の上側に設けられて前記ドームを加熱させるためのヒーターと;
前記熱伝達部材と前記ヒーターとの間に設けられて前記ドームを冷却させる冷却部材と;
前記冷却部材に対して結合されて前記ドームが所定の基準温度範囲を維持するように前記冷却部材に供給される冷却剤の量を調節する調節弁とを含むことを特徴とする半導体製造装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (14件)：
4K030FA04
, 4K030JA05
, 4K030JA10
, 4K030JA16
, 4K030KA08
, 4K030KA22
, 4K030KA26
, 4K030KA41
, 5F045AA08
, 5F045EH02
, 5F045EH11
, 5F045EJ05
, 5F045EJ09
, 5F045EK06
