特許
J-GLOBAL ID：200903093844500550

裏面入射型測距センサ及び測距装置

発明者：
間瀬 光人

間瀬 光人 について

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鈴木 高志

鈴木 高志 について

, 
水野 誠一郎

水野 誠一郎 について

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武村 光隆

武村 光隆 について


出願人/特許権者：
浜松ホトニクス株式会社

浜松ホトニクス株式会社 について


代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  石田 悟
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-175636
公開番号（公開出願番号）：特開2009-014459
出願日： 2007年07月03日
公開日（公表日）： 2009年01月22日
要約：
【課題】 高精度の距離検出を行うことが可能な裏面入射型測距センサ及び測距装置を提供する。【解決手段】 裏面入射型測距センサ1は、二次元状に配列した複数の画素P(m,n)からなる撮像領域1Bを有する半導体基板1Aを備えている。各画素P(m,n)からは、上述の距離情報を有する信号d’(m,n)として2つの電荷量(Q1,Q2)が出力される。各画素P(m,n)は微小測距センサとして対象物Hまでの距離に応じた信号d’(m,n)を出力するので、対象物Hからの反射光を、撮像領域1Bに結像すれば、対象物H上の各点までの距離情報の集合体としての対象物の距離画像を得ることができる。投光用の近赤外光の入射に応答して半導体深部で発生したキャリアを、光入射面とは逆側のキャリア発生位置近傍に設けられたポテンシャル井戸に引き込めば、高速で正確な測距が可能となる。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
光入射面及び前記光入射面とは逆側の表面を有する半導体基板と、 前記表面上に設けられたフォトゲート電極と、 前記表面上において前記フォトゲート電極に隣接して設けられた第1及び第2ゲート電極と、 前記フォトゲート電極直下の領域から前記第1及び第2ゲート電極直下の領域に流れ込むキャリアをそれぞれ読み出すための第1及び第2半導体領域と、 を備えた裏面入射型測距センサ。
IPC (3件)：
G01S 17/10 ,  H01L 27/146 ,  G01C 3/06
FI (3件)：
G01S17/10 ,  H01L27/14 A ,  G01C3/06 120Q
Fターム (28件)：
2F112AD01 ,  2F112BA03 ,  2F112BA07 ,  2F112BA11 ,  2F112CA12 ,  2F112DA21 ,  2F112DA28 ,  2F112EA05 ,  4M118AA10 ,  4M118AB02 ,  4M118BA02 ,  4M118BA19 ,  4M118CA03 ,  4M118CA32 ,  4M118FC06 ,  4M118FC15 ,  4M118GA02 ,  4M118GC11 ,  4M118HA31 ,  5J084AA05 ,  5J084AD01 ,  5J084BA32 ,  5J084CA03 ,  5J084CA67 ,  5J084DA01 ,  5J084DA09 ,  5J084EA01 ,  5J084EA07
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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