特許
J-GLOBAL ID：200903036796173874

ホトダイオードアレイ、固体撮像装置、及び、放射線検出器

発明者：
岡本 浩二

岡本 浩二 について

, 
坂本 明

坂本 明 について

, 
藤井 義磨郎

藤井 義磨郎 について


出願人/特許権者：
浜松ホトニクス株式会社

浜松ホトニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-277136
公開番号（公開出願番号）：特開2003-086827
出願日： 2001年09月12日
公開日（公表日）： 2003年03月20日
要約：
【要約】【課題】 電極や配線を一方の面側に集めてもクロストークの発生を良好に抑制することができるホトダイオードアレイの提供。【解決手段】 ホトダイオードアレイ1は、n-型半導体基板2の表面2sにp型の半導体層3を複数有し、半導体基板2の裏面2u側から被検出光を入射させるものである。半導体基板2の表面2s側には、各p型半導体層3それぞれの近傍に位置するように、n+型のチャンネルストッパ層4が複数配設されている。また、半導体基板2の表面2s側には、各p型半導体層3、及び、その近傍のチャンネルストッパ層4の周囲を完全に囲むように、対応するチャンネルストッパ層4よりも裏面2uに延びるトレンチ部10が設けられている。
請求項（抜粋）：
第1導電型半導体基板の一面側に第2導電型半導体層を複数有し、前記半導体基板の他面側から被検出光を入射させるホトダイオードアレイにおいて、前記半導体基板の他面側に形成されており、前記半導体基板よりも高い不純物濃度を有する第1導電型のアキュムレーション層と、前記半導体基板の前記一面側、かつ、前記各第2導電型半導体層それぞれの近傍に位置するように複数配設されており、前記半導体基板よりも高い不純物濃度を有する第1導電型のチャンネルストッパ層と、前記各第2導電型半導体層、及び、その近傍の前記チャンネルストッパ層の周囲を完全に囲むように前記半導体基板の前記一面側に設けられており、対応する前記チャンネルストッパ層よりも前記他面側に延びるトレンチ部とを備えることを特徴とするホトダイオードアレイ。
IPC (6件)：
H01L 31/10 ,  G01T 1/20 ,  H01L 27/14 ,  H01L 27/146 ,  H01L 31/09 ,  H04N 5/32
FI (9件)：
G01T 1/20 E ,  G01T 1/20 G ,  H04N 5/32 ,  H01L 31/10 A ,  H01L 31/00 A ,  H01L 27/14 Z ,  H01L 27/14 K ,  H01L 27/14 D ,  H01L 27/14 F
Fターム (50件)：
2G088EE01 ,  2G088EE02 ,  2G088GG13 ,  2G088GG19 ,  2G088GG20 ,  2G088JJ05 ,  2G088JJ09 ,  2G088JJ31 ,  2G088JJ33 ,  2G088JJ37 ,  2G088LL12 ,  4M118AA05 ,  4M118AA08 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118CA03 ,  4M118CA32 ,  4M118CB11 ,  4M118GA02 ,  4M118GA09 ,  4M118GA10 ,  4M118GB11 ,  4M118GB13 ,  4M118HA31 ,  5C024AX11 ,  5C024AX16 ,  5C024CX11 ,  5C024CY47 ,  5C024EX21 ,  5C024GX03 ,  5F049MA01 ,  5F049MB02 ,  5F049NB05 ,  5F049PA09 ,  5F049QA04 ,  5F049RA02 ,  5F049SS02 ,  5F049SZ11 ,  5F049SZ20 ,  5F088AA01 ,  5F088AB02 ,  5F088BA03 ,  5F088BB03 ,  5F088BB07 ,  5F088CB09 ,  5F088DA01 ,  5F088EA04 ,  5F088GA04 ,  5F088HA11 ,  5F088LA08
引用特許：
審査官引用 (16件)
  • 光起電力装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-003680   出願人：インターナショナル・レクチファイヤー・コーポレーション
  • 特開昭50-147230
  • 特開昭60-182764
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