基板加熱方法、基板加熱装置及び塗布、現像装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井上俊夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-105834
公開番号（公開出願番号）：特開2003-257848
出願日： 2002年03月04日
公開日（公表日）： 2003年09月12日
要約：

【要約】【課題】レジスト液の塗布された基板に対し、露光の前に行う加熱処理において、レジスト膜の膜質の面内均一性を向上させること。また、製品の歩留まりを向上させること。【解決手段】レジスト液の塗布された基板を処理容器内の加熱プレートに載置し、当該処理容器内にパージガスの供給を行うと共に加熱を開始する。基板の載置位置上方には当該基板の表面に形成されたレジスト膜の膜厚を監視する膜厚検知センサが設けられており、膜厚が一定値以下となると制御部は基板と加熱プレートとの距離が広がるようにリフトピンを上昇させる。これにより基板の受ける熱量が低下し、その後レジスト膜内のポリマーが悪影響を受けることなく溶剤のみが揮発する。

請求項（抜粋）：

レジスト液を塗布した基板を処理容器内にて加熱する方法において、熱エネルギーを基板に与えてレジスト液中の溶剤を概ね揮発させる第1の工程と、次いで単位時間に基板に与える熱量を第1の工程時よりも小さくしてレジスト膜中に残存する溶剤を揮発させる第2の工程と、を含むことを特徴とする基板加熱方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , F26B 9/06

FI (3件)：

F26B 9/06 A , H01L 21/30 566 , H01L 21/30 567

Fターム (12件)：

3L113AA01 , 3L113AB05 , 3L113AC08 , 3L113AC76 , 3L113BA34 , 3L113CA20 , 3L113CB40 , 3L113DA24 , 5F046JA21 , 5F046KA04 , 5F046KA05 , 5F046KA10

引用特許：

審査官引用 (5件)

基板処理方法およびそれに使用する装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-019799 出願人：大日本スクリーン製造株式会社
特開平3-033849
被処理基板の加熱方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-213265 出願人：富士通株式会社

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