特許
J-GLOBAL ID：200903093887969713
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
岩橋 文雄
, 坂口 智康
, 内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-057207
公開番号（公開出願番号）：特開2005-251828
出願日： 2004年03月02日
公開日（公表日）： 2005年09月15日
要約：
【課題】高速化、微細化に伴い、配線材料にCuを採用すると共に拡散工程の複雑化及び拡散工程数の増大する中で、この拡散工程数を軽減すると同時に、CuパッドとAuボールを安定に接合できる半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】層間絶縁膜1、Cuパッド部3、Cuパッド上を含む半導体素子上に成膜する絶縁膜6、Cuパッド上の絶縁膜から突き出たCuビア4から構成された外部電極に、荷重と超音波振動を印加することにより、Cuビア4が折れ、Cu新生面を出す。これによってAuボール7をCuパッド部3に接合することで解決できる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
平坦な銅パッドと、前記銅パッド上に形成された絶縁膜と、前記銅パッドと接続され、且つ前記銅パッド上にビア状に突出した複数の銅突起を備え、前記銅突起が前記絶縁膜中を通り抜け、前記絶縁膜より先端が突き出たことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L21/60 301D
, H01L21/60 301P
, H01L21/88 T
5F033HH11
, 5F033JJ11
, 5F033KK11
, 5F033MM17
, 5F033VV07
, 5F044CC00
, 5F044EE04
, 5F044EE06
, 5F044EE13
, 5F044EE21
, 5F044JJ00
