特許
J-GLOBAL ID:200903088402491248
バンプの設計方法および形成方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
森 哲也 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-155461
公開番号(公開出願番号):特開2002-353261
出願日: 2001年05月24日
公開日(公表日): 2002年12月06日
要約:
【要約】【課題】電解めっき法で形成されたバンプを加熱加圧法で接続対象の金属層に固着させる方法において、接続時に加える圧力を比較的小さくしても、バンプの高さのバラツキを吸収して、接続対象の金属層と確実に接続できるようにする。【解決手段】基板上のバンプ形成領域毎に、アスペクト比が0.7以上のバンプ80を複数個配置する。
請求項(抜粋):
基板上のバンプ形成領域毎に、アスペクト比が0.7以上のバンプを複数個配置することを特徴とするバンプの設計方法。
引用特許:
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