化合物半導体ウェハ、化合物半導体装置及び化合物半導体太陽電池

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：絹谷信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-256368
公開番号（公開出願番号）：特開平10-107304
出願日： 1996年09月27日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：

【要約】【課題】厚膜のGaAsバッファ層を用いることがなく、安価で良質な化合物半導体ウェハ、化合物半導体装置及び化合物半導体太陽電池を提供する。【解決手段】 n型Ge基板11上に化合物半導体のエピタキシャル層を形成した化合物半導体ウェハ、化合物半導体装置及び化合物半導体太陽電池において、エピタキシャル層の第1層をn型Alx Ga1-x Asバッファ層13とし、かつ第1層のAlAs混晶比xを0.1〜0.4の範囲内にすることにより、厚膜のGaAsバッファ層を用いることなく、安価で良質な化合物半導体ウェハ、化合物半導体装置及び化合物半導体太陽電池の提供を実現することができる。また、エピタキシャル層の第1層を厚さ0.02μm以下のn型GaAs層12とし、第2層をn型Alx Ga1-x Asバッファ層13とし、かつ第2層のAlAs混晶比xを0.1〜0.4の範囲内にしても同様の効果が得られる。

請求項（抜粋）：

Ge基板上に化合物半導体のエピタキシャル層を形成した化合物半導体ウェハにおいて、上記エピタキシャル層の第1層がAlx Ga1-x As層であり、かつ第1層のAlAs混晶比xが0.1〜0.4の範囲内にあることを特徴とする化合物半導体ウェハ。

IPC (2件)：

H01L 31/04 , H01L 21/02

FI (2件)：

H01L 31/04 E , H01L 21/02 B

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開平3-268360
特開昭59-132119
特開昭58-130574

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