特許
J-GLOBAL ID：200903093958395110

絶縁膜形成用材料、絶縁膜及びその形成方法並びに半導体装置

発明者：
中田 義弘

中田 義弘 について

, 
鈴木 克己

鈴木 克己 について

, 
杉浦 巌

杉浦 巌 について

, 
矢野 映

矢野 映 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 北野 好人 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-338502
公開番号（公開出願番号）：特開2003-142477
出願日： 2001年11月02日
公開日（公表日）： 2003年05月16日
要約：
【要約】【課題】 機械的強度に優れ、かつ低誘電率の多孔質絶縁膜を形成し得る絶縁膜形成用材料、絶縁膜及びその形成方法並びに半導体装置を提供する。【解決手段】 骨格に炭素結合を有するシリコン化合物と、熱処理により分解又は揮発する空孔形成用化合物と、前記シリコン化合物と前記空孔形成用化合物とを溶解する溶剤とを有する絶縁膜形成用材料により形成された多孔質絶縁膜28、40、50を有する。
請求項（抜粋）：
骨格に炭素結合を有するシリコン化合物と、熱処理により分解又は揮発する空孔形成用化合物と、前記シリコン化合物と前記空孔形成用化合物とを溶解する溶剤とを有することを特徴とする絶縁膜形成用材料。
IPC (10件)：
H01L 21/312 ,  C01B 33/12 ,  C08J 9/26 102 ,  C08J 9/26 CFH ,  C08K 5/00 ,  C08L 83/04 ,  C08L 83/16 ,  C09D 5/25 ,  C09D183/04 ,  H01L 21/768
FI (10件)：
H01L 21/312 C ,  C01B 33/12 C ,  C08J 9/26 102 ,  C08J 9/26 CFH ,  C08K 5/00 ,  C08L 83/04 ,  C08L 83/16 ,  C09D 5/25 ,  C09D183/04 ,  H01L 21/90 S
Fターム (77件)：
4F074AA88 ,  4F074AA89 ,  4F074AA90 ,  4F074AA91 ,  4F074AD13 ,  4F074CB01 ,  4F074CB02 ,  4F074CB03 ,  4F074CB16 ,  4F074CB27 ,  4F074DA03 ,  4F074DA47 ,  4G072AA25 ,  4G072BB09 ,  4G072BB15 ,  4G072HH28 ,  4G072MM01 ,  4G072RR03 ,  4G072RR13 ,  4G072UU30 ,  4J002CP011 ,  4J002CP031 ,  4J002CP041 ,  4J002EN006 ,  4J002EN026 ,  4J002EN036 ,  4J002EN136 ,  4J002GQ01 ,  4J002GQ05 ,  4J038CC032 ,  4J038DL011 ,  4J038DL031 ,  4J038DL041 ,  4J038JA02 ,  4J038JA20 ,  4J038JA24 ,  4J038JA30 ,  4J038JB01 ,  4J038JB02 ,  4J038JB04 ,  4J038KA06 ,  4J038NA11 ,  4J038NA17 ,  4J038NA21 ,  5F033HH11 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR05 ,  5F033RR23 ,  5F033RR29 ,  5F033SS04 ,  5F033SS11 ,  5F033SS22 ,  5F033WW01 ,  5F033WW04 ,  5F033XX24 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AF04 ,  5F058AH02
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (6件)
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